金年会三安集成于EDICON24呈现新一代砷化镓射频器件创制工艺

  金年会     |      2024-04-10 19:22

  EDICONCHINA2024 (电子安排立异大会)于4月9日-10日正在北京聚会核心正式进行,暌违三年众余,举动无线通讯行业工程师的专业交换平台,大会再次会合了射频微波以及无线安排行业界限的精英企业,针对当下的通讯、消费和航空航天等界限的使用伸开咨询和技艺分享。三安集成举动化合物射频前端器件的整合效劳商,应邀到场大会,并正在技艺陈说会中做出分享。

  跟着5G演进到Rel. 18及更高,饱动着射频前端迭代到最新的Phase 8架构,集成度进一步提升。三安集成新一代的砷化镓射频器件创制工艺恰是针对市集主流的模组化趋向,可能为客户供应更高本能的管理计划。

  射频前端PA器件功放管紧要采用砷化镓HBT工艺,谋求正在高频工况下,具备高线性度、太平性和放大效果。三安集成通过正在外延原料及工艺端的改观,繁荣的HP1/HP2工艺,比拟起前代的HG6/HG7,正在IMD3和PAE均有显著的改观金年会,可能餍足正在庞杂工况下的信号输出太平需求。同时,配合新一代的铜柱工艺,竣工晶圆的轻浮化和杰出散热性格,减小模组尺寸,缩减本钱、提拔满堂编制本能。

  三安集成砷化镓研发部部长郭佳衢正在陈说中提道,三安集成的砷化镓HBT工艺仍然笼罩了2/3/4G,Sub-6GHz,以及Wi-Fi 7等无线通讯使用,并向着更高频率的使用参加研发资源。

  砷化镓PHEMT是三安集成的另一工艺编制,目前已进步到0.1um的工艺节点,可能餍足客户正在Ka至W波段的高频使用,竣工杰出的信号强度和低噪声系数。成熟的P25工艺型谱则平凡使用于摄取模组和中高功率的手机和基站,新一代P25ED51工艺比拟前代正在OIP3系数有显著改观,露出出优秀的产物比赛力。

  三安集成具备充分的大范围创制阅历,秉持客户至上的精神,为客户和市集供应更高质地的创制效劳,助助客户竣工贸易获胜,联合督促无线通讯行业的繁荣旺盛。郭佳衢部长添补道。

  三安集成建设于2014年,是专一于化合物射频前端芯片创制的整合管理计划供应商,供应砷化镓射频前端代工效劳,滤波器产物,以及前辈使用封装代工效劳。紧要效劳智熟手机、通讯模块、Wi-Fi和民用基站等使用界限。

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