爱问共享原料集成电道基础观念文档免费下载，数万用户每天上传巨额最新原料，数目累计超一个亿 ，集成电道基础观念第1页，共21页。1.晶圆众指单晶硅圆片,由日常硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体资料。按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发达出12英寸乃至更大规格.晶圆越大,统一圆片上可临盆的IC就众,可消浸本钱;但条件资料身手和临盆身手更高.第2页，共21页。2.众晶硅众晶硅只是一种无定形硅，这是因为众晶硅孕育正在二氧化硅层之上，从而无法造成单晶体。因为众晶硅是用作导体的，是以无定形性无合紧要。为了减小这层众晶硅的电阻率，寻常要举行分外的注入，以形成每方块几十欧姆的薄层电容。第3页，共21页。3.本征半导...
集成电道基础观念第1页，共21页。1.晶圆众指单晶硅圆片,由日常硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体资料。按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发达出12英寸乃至更大规格.晶圆越大,统一圆片上可临盆的IC就众,可消浸本钱;但条件资料身手和临盆身手更高.第2页，共21页。2.众晶硅众晶硅只是一种无定形硅，这是因为众晶硅孕育正在二氧化硅层之上，从而无法造成单晶体。因为众晶硅是用作导体的，是以无定形性无合紧要。为了减小这层众晶硅的电阻率，寻常要举行分外的注入，以形成
每方块几十欧姆的薄层电容。第3页，共21页。3.本征半导体正在纯半导体单晶中，导带中电子悉数来自于价带中电子的热激勉，称之为本征半导体。第4页金年会，共21页。4.掺杂半导体掺入施主杂质（如磷、砷等）后的硅称为N型资料，此中有巨额过剩电子；掺入受主杂质（如硼）后的硅称为P型资料，此中有巨额过剩空穴。轻掺杂日常用-后缀，如n-,p-;重掺杂用+后缀，如n+,p+。第5页，共21页。5.薄层电阻R□R□＝ρ/tρ:电阻率，t:厚度——这两个参数都由工艺决断，幅员计划者无法调动
R＝R□*(L/W)第6页，共21页。6.光刻IC临盆的苛重工艺技巧,指用光身手正在晶圆上刻蚀电道.与每一层的光刻相干的流程都需求一块掩模板和三道工序：正在晶片上涂上光刻胶瞄准掩模板并举行曝光刻蚀曝光后的光刻胶第7页，共21页。光刻措施第8页，共21页。7.氧化二氧化硅是将的硅片放正在1000℃摆布的氧化空气（如氧气）中“孕育”而成的。其孕育速率取决于空气的类型和压强、孕育的温度以及硅片的掺杂浓度。例：场氧化层，栅氧化层第9页，共21页。8.离子注入离子注入是通过将杂质原子
加快变为高能离子束，再用其轰击晶片外外而使杂质注入无掩模区域而完毕的。它最常用的掺杂手法。第10页，共21页。9.淀积和刻蚀淀积：众晶硅、分开互连层的绝缘资料以及行动互连的金属层等都需求淀积。如：用化学气相淀积（CVD）孕育众晶硅。刻蚀：除去层中不必区域的手法。“湿法”刻蚀：将硅片置于化学溶液中腐化（准确度低）“等离子体”刻蚀：用等离子体轰击晶片（准确度高）反响离子刻蚀（RIE）：用反响气体中形成的离子轰击晶片第11页，共21页。10.器件分开场氧和场注入：防守统一衬底或
阱区中寄生MOS管的导通第12页，共21页。场氧第13页，共21页。场注入（沟道阻断注入）第14页，共21页。器件分开（续）PN结分开：阱和衬底，MOS管衬底和源漏间的分开。P衬底接最低电位，N阱接最高电位PMOS的衬底为最高电位，NMOS的衬底为最低电位。第15页，共21页。PN结分开第16页，共21页。11.有源区MOS管中源、漏（以及它们之间的薄氧化层栅区），和用于连结衬底和阱区的P+,N+接触区。第17页，共21页。12.线宽指IC临盆工艺可到达的最小导线宽度,是
IC工艺先辈水准的苛重目标.线宽越小,集成度就高,正在统一壁积上就集成更众电道单位1微米/0.6微未/0.35微米/0.25/0.18/0.13/0.09/0.065微米等级18页，共21页。13.前、后工序IC创筑历程中,晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为前工序,这是IC创筑的最合键身手;晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序.第19页，共21页。14.封装指把硅片上的电道管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连结.第20页，共21页。第21页，共21页。
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