集成电道顾名思义即是把良众电道集成正在沿道，晶圆越大，特性尺寸越小，不只能集成更众更杂乱的电道，并且能够低落功耗，加疾相应速率。
目前最前辈的集成电道工艺是12英寸晶圆上筑设的5~7纳米的鳍式晶体管(FinFET，Fin Field-effect transistor)集成电道，手机电脑良众用到了它们。那么，鳍式场效应晶体管终于长什么形式的，它跟咱们常睹的平面型场效应晶体管集成电道有什么区别呢？下面咱们做一点单纯先容。所谓的鳍式场效应晶体管，最初是加州大学伯克利分校胡正明教学1999年发现的，是一种立体的场效应管。 当晶体管的尺寸小于25纳米以下，古代的平面场效应管的尺寸仍旧无法缩小。FinFET的重要思念是将场效应管立体化金年会官方陪玩。它与古代平面型工艺的比照示希图如下。
正在平面工艺中，硅片是平整的，栅极（G）和源极（S）漏极（D）基础处于一个平面。但鳍式工艺的晶圆，要起首做出良众一律一概统一偏向的“鱼鳍”相通的沟槽来，晶圆是坑洼不屈的。
假设从鳍片偏向剖开，晶体管的组织如同与平面工艺组织差不众，如上图中央两个图所示。可是侧面看，就会呈现鳍式晶体管电道都正在鳍片上，如图中箭头偏向看去，就看会呈现鳍式晶体管相当于把平面晶体管折叠起来安置，所以能够节俭空间。平面工艺栅如红域所示，宽度长度都很好记号。而鳍式工艺的栅是弯曲笼盖正在鳍上的，栅对下面的沟道处于半掩盖状况，宽度策动要思索三个偏向。但是因为栅掩盖沟道更众，能够低落泄电流及进步栅限定的智慧度。
当然，鳍式晶体管也不是没有毛病。它的组织都荟萃正在很薄的鳍片上，所以导通大电流及导热才力会有所降落。下图是咱们用电脑模仿的一个鳍式组织示希图。